Компания Самсунг создала первую в мире микросхему оперативки памяти DDR3 емкостью четыре гигабита.
Она выполнена с соблюдением 50-нанометровой технологии и даст прирастить количество модуля оперативки до 30 два гб. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.
Для работы четырехгигабитного чипа памяти DDR3 нужно напряжение в 1,35 вольта.
Это на 20 процентов меньше, чем требуется для работы создаваемых в текущее время чипов памяти DDR3.
Представители Самсунг выделяют, что четырехгигабитные чипы памяти DDR3 могут употребляться в 16-гигабайтных серверных модулях оперативки RDIMM.
Не считая того, они могут стать базой восьмигигабайтных модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков.
Энергопотребление 16-гигабайтного модуля DDR3 на базе четырехгигабитных микросхем на 40 процентов меньше энергопотребления аналогичного модуля, сделанного на базе двухгигабитных чипов.
В сентябре две тыщи восемь года Самсунг заявил двухгигабитные чипы оперативки, выполненные по 50-нанометровой технологии. В текущее время линейка 50-нанометровых чипов оперативки DDR3 компании Самсунг включает микросхемы числом один, два и четыре гигабита.